一、半导体器件DPA不合格的根源研究（论文文献综述）
李孝远,李达,孙博文,王艳东,罗春华[1]（2021）在《一种提升大容量反熔丝PROM成品率的置换修复技术》文中指出针对存储单元的工艺成品率导致大容量反熔丝存储器件低成品率的问题,通过对该类器件成品率问题根源、常规解决措施和修复实现机理的研究分析,提出一种面积、成本更优的置换修复结构设计。并基于大容量抗辐照PROM器件,对该置换修复机理和电路实现进行了详细介绍。通过实践项目验证,采用该冗余设计结构的大容量抗辐照PROM器件,成品率可以得到有效提升。
刘世彬[2]（2021）在《山东小三线建设研究》文中进行了进一步梳理
张红旗,张延伟,毛喜平,汪悦[3]（2020）在《深入推进宇航元器件过程控制体系的研究》文中认为本文分析了近年来宇航元器件的质量形势,介绍了宇航元器件PCS体系推出的背景和过程、体系设计的核心思想和内容等,并就准入、批产和交付3个阶段如何全面深入推进PCS体系建设提出了建议。
宋利杰[4]（2016）在《电子元器件及封装质量控制中若干案例的分析研究》文中研究说明随着军用电子设备的使用环境越来越复杂,对产品的可靠性要求越来越苛刻,而电子元器件是电子设备的基本组成部分,电子元器件的可靠性的提高成了当前亟待解决的问题。本论文主要针对电子元器件质量控制中若干案例进行分析和总结,主要研究成果概括如下。利用扫描电子显微镜对样品进行形貌分析,当表面成分中平均原子序数相差较大时,使用背散射电子成像模式可以获得形貌和成分的混合像,较二次电子成像模式更能准确的反应表面形貌信息;对于导电性较差的样品,要获得分辨率较高的图像,需进行喷金或者喷碳,增加样品的导电性;能谱仪的定性分析模式中线扫描可以直观描述某一元素沿特定路径的浓度分布,反应元素的富集情况或不同层之间元素互浸入的程度。将这些结论应用于之后的分析测试工作中,使更有效的开展分析测试工作。将厂家计划引入的新镀液电镀多层陶瓷电容器锡层,并进行相关的可靠性鉴定试验,经检测DPA模块镀层内部镀层检测、电参数测试和可靠性测试,镀液产品性能满足使用要求。利用扫描电子显微镜对可焊层锡层进行形貌观察,使用新镀液的产品相对于老镀液延边长度更短,均匀性更好,镀液成本低,故建议厂家引入新镀液;对于多层陶瓷电容器进行形貌分析以及DPA模块内部分析,结合电参数检测,讨论了瓷介质击穿的机理,确认失效是由于端头的裂纹引起的,经层层分析该裂纹是由外应力产生的;针对多层陶瓷电容器短路整体解焊后部分产品短路消失的现象,使用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对失效的多层陶瓷电容器进行形貌和成分分析,结合微组装工艺流程确定失效是由于样品在涂覆三防漆前未对线路板进行充分烘烤,导致端电极发生电迁移。利用电子探针能谱仪对铝合金样品进行成分分析时,断口表面和机械加工面Cu元素含量相差较大,使用扫描电子显微镜对断口进行形貌观察发现有第二相的存在,通过探讨X射线的作用机理,确定成分差异较大的原因有两点,其一:断口为韧窝断口,表面凹凸不平,原子序数较大的元素产生的特征X射线跳跃能力越强,在凹陷部位相对于原子序数较小的元素产生的特征X射线更容易逸出表面。其二:第二相的生成会使某些元素富集,元素的不均匀分布影响成分的检测,这时采用机械加工面进行成分分析结果更为准确;利用扫描电子显微镜和电子探针能谱仪对硅铝合金激光封焊进行形貌分析,找出缺陷并分析作用机理,进一步优化工艺参数;激光封焊焊接过程中大量热的产生使金属处于熔融态,在毛细管力的作用下易使少量熔融金属进入进腔体内,以小球的形态附着在基板表面,且移动随机无方向性容易碰撞金属引线,对器件的安全使用存在潜在威胁,建议在腔体边沿加一道凹槽,减缓熔融金属向腔体内的流动,增加器件的可靠性。对失效的限流稳压器、芯片电容、砷化镓功率放大器和移相器进行形貌和成分的分析,确定失效原因并提出相关建议。通过以上的分析工作,丰富了扫描电镜和电子探针能谱仪的分析的方法,更有效、灵活的开展显微检测工作;对多层陶瓷电容器和芯片电容的质量相关问题进行探讨,切实解决了相关问题;对限流稳压器、砷化镓功率放大器和移相器进行的失效分析,找到了失效的原因并提出相关建议。对激光封焊铝合金进行可靠性分析,确定其产生的机理。
翁正[5]（2014）在《长期贮存对功率器件性能影响的研究》文中研究表明作为电子元器件寿命周期中的一种重要状态，室内长期自然贮存对电子元器件意义重大。特别是对于将要应用于需要长期贮存，但是对可靠性要求较高的系统中的元器件来说，长期贮存之后电子元器件的性能是否满足系统要求，能否保证系统一次上电就能保证成功运行是一个非常值得研究的问题。所以，本文选取功率器件作为研究对象，对长期贮存对功率电子元器件的影响进行研究分析，对功率器件的长期贮存、筛选及其使用有重要作用。首先对贮存可靠性的研究简要介绍，分别对自然贮存和加速试验在国内外的发展情况进行比较；对超期复验程序进行了简要的论述，重点介绍了元器件的有效贮存期及其计算方法。随后，对功率器件的制作原理进行了简要介绍，同时，对电子元器件特别是功率电子元器件的封装原理及特点做了详细的介绍，对后续贮存试验中参数变化和封装性能的研究起到指导作用。第三，对长期贮存中影响功率器件性能的因素进行研究，主要分为温度，湿度和化学因素，对三种因素分别对电子元器件贮存性能影响的主要机理进行了深入研究。介绍了可能存在的贮存失效模式，着重研究了每种失效模式的具体机理并给出大量详实的失效实例。最后，对试验样品进行电测试并分析参数变化情况，运用破坏性物理分析（DPA）的方法对样品的封装性能进行试验分析，总结试验结果，得出长期贮存对功率电子元器件性能影响的模式。基于研究结果，提出提高功率电子元器件的长期贮存可靠性可行的方法；同时，基于前人的研究，也对我国电子元器件超期复用程序的改进提出建议。
徐七京[6]（2013）在《力神科技股份有限公司发展战略研究》文中研究指明力神科技股份有限公司（以下称为力神公司）是一家致力于半导体分立器件和模拟集成电路的设计、销售公司。自2001年成立以来，公司凭借自身的技术优势，产品获得了市场的广泛认可，最近几年也保持着快速成长的势头。但由于力神公司此前没有特别针对公司自身的发展战略做过系统研究，公司的发展战略、规划还仅限于几个公司高层的头脑里，不利于公司的长远健康发展。目前力神公司虽已具备了优于本土同行的技术研发能力，拥有高效的管理团队、研发团队和销售团队，公司上下团队合作也还顺畅，市场及客户反馈也算良好，但随着公司日益胀大，人员的扩充，客户群的不断增加，产品开发提速等一系列的发展问题会自然衍生出新的公司问题。因此，如何在面对复杂多变的外部环境下，保持公司长远稳定发展，需要对公司的发展战略进行系统研究以建立适合公司发展的战略。所以本文将以力神公司作为研究对象，为了实现力神公司在未来5年内，发展成为台湾本土第一的半导体分立器件品牌公司的发展总目标，利用作者在力神公司所从事的一线营销工作的机会和MBA课程所学的管理相关理论知识和方法，通过对力神公司概况及行业背景介绍、力神公司内外环境分析、力神公司发展战略设计、力神公司战略实施与控制等章节的详细分析阐述，在总结国内外半导体同行业的宏观环境因素、经济环境、技术环境、社会文化环境、行业竞争环境等外部环境分析，和技术资源、人力资源、产品结构、财务资源、品牌资源、企业文化等理论结合实际的基础上，利用SWOT分析法对力神公司的优势与劣势、机会与威胁的归纳总结，设计了符合力神公司发展的专业化战略和差异化的发展战略，并提出了人力资源、营销、技术研发和成本控制等方面的四项配套的战略。最后对这些战略的实施和控制提供了相应的建议措施。以提升力神公司的竞争优势，确保公司永续、健康发展。
谭兴进[7]（2012）在《南车时代半导体事业部欧洲区营销渠道策略改进研究》文中研究说明南车时代是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，是我国轨道交通大功率半导体器件研究开发及生产基地，在半导体行业享有很高声誉。2005年以来，虽然公司在欧洲市场拓展取得了较大的进展，但是总体规模仍处于较低水平。2008年公司并购欧洲半导体制造商丹尼克斯半导体以来，虽然扩充了欧洲市场的渠道资源，但尚存在营销渠道结构及配置不够合理、渠道忠诚度不足、市场信息不对称、渠道监督管理不力以及偶发性渠道冲突等问题，最终造成市场开拓进展缓慢的局面。如何破解当前存在的这些问题，成为公司迫在眉睫的一项研究课题。本文以本人所任职的南车时代对公司大功率半导体产品在欧洲区的营销渠道作为研究对象，在参阅有关市场营销及营销渠道管理理论的基础上，对公司所处的内外部环境从宏观、纵观及微观三个方面进行阐述，对公司在欧洲区的营销渠道策略进行全面分析，指出了公司在营销渠道结构与配置、渠道质量与渠道市场信息交流以及渠道管理方面存在的缺陷，提出了渠道结构改进方案以及相应的渠道管理策略改进措施，同时就渠道策略的实施保障措施从人、财、物三个方面进行了阐述，以达到对营销渠道进行科学策划与管理，促进公司市场拓展，最终提高市场竞争力的目标。本文旨在运用市场营销和渠道管理的理论和方法，研究制订一套更加科学有效的营销渠道策略及实施保障措施，解决南车时代半导体事业部当前营销渠道结构及渠道管理方面的缺陷，提高渠道效率，以期使南车时代半导体业务在欧洲市场得到快速、健康、持续地拓展。同时，希望通过这个案例的详细分析，有助于国内拓展国际市场大功率半导体制造企业把握国际区域市场的特点、了解市场状况、客户倾向、市场供需状况、竞争对手情况，从而更加主动地预测市场走势、制定营销渠道策略，最终起到帮助大功率半导体制造企业改善经营管理，提高市场竞争力的作用。
叶建海[8]（2011）在《微波器件质量相关的电子显微研究》文中研究表明随着微波工程技术的不断发展,作为现代化电子装备和武器系统的重要基础元件,微波器件的使用范围越来越广泛。但是,相比于欧美等发达国家,我国微波器件的质量和可靠性水平还是存在着比较大的差距,在使用中出现的失效现象不断的发生。在这种情况下,如何更好的加强和保证微波产品的质量已经发展成为一个我们亟需面对的问题。因此,开展关于微波器件质量问题的可靠性和失效研究工作具有十分重要的实际意义和应用价值。针对合作单位缺少微观分析技术平台的现状,本论文采用以扫描电镜（SEM）和能谱仪（EDS）为主的微观分析手段,结合产品的研发生产过程,围绕着材料、工艺和使用情况等影响因素,对微波器件的质量问题进行研究。开展的主要工作和取得的研究成果概述如下。（1）SEM分析对样品的导电性较为敏感,针对导电性差样品在SEM分析时出现的图像失真现象进行研究,讨论了电子在样品表面的作用过程,最终确定了造成图像失真的影响机制;对于一些不便于进行喷镀处理的弱导电性材料,通过大量的实验研究,对不同分析模式和仪器参数进行灵活的调节,发展了背散射信号加快速扫描的分析方法在相关领域的应用,有效的克服了荷电效应带来的不良的影响,在实际运用中取得了理想的分析效果。（2）微波器件三种焊接失效案例分析研究。针对钨铜复合材料封装焊接不牢问题,通过结构和成分的分析对照,找出其失效原因为原材料的W/Cu过高,影响其与可伐合金之间的可焊性。通过对试验不合格的微波晶体管进行DPA分析,结果表明器件管芯与基片间存在着虚焊和空洞等不良焊接,造成了器件间的欧姆接触不良,最终导致了热失效。针对电路元件的焊接脱落现象,采用SEM-EDS对脱落的焊料和管芯进行分析,确定了样品焊接时出现金属间合金化反应的失效模式。（3）微波电路两种污染案例分析。对移相器芯片表面的液迹污染物进行分析表明,其成分以C、O、Na和K元素为主,并出现明显的树枝状和立方结晶结构;采用人的唾液进行模拟试验,获得的污染现象,以及成分与结构分析结果均一致;上述结果证实该污染源于人的体液。对移相器芯片表面出现的颗粒状污染物进行分析表明,其性质为空气中尘埃颗粒等有机附着物;针对这一情况,对工作间洁净度进行了检测,结果表明芯片污染的主要原因为无尘室洁净度不够,大于5μm的尘粒数严重超标。（4）滤波器漏气原因分析。对密封检测不合格的滤波器进行分析,结果表明由于封装腔体（硅铝合金）中硅含量过高,且以颗粒状和片状结构存在,因此在尖端处容易存在应力集中,导致加工时微小裂缝的产生;另外,在焊接时还可能导致液相金属的流动性差,破坏其熔合的致密度,从而产生焊接缺陷,造成封装盒体的气密性不足。（5）场效应管金属化层质量评价。通过对不同实验条件下某功率放大器芯片中场效应管处金属化层进行SEM检测表明,所有不同实验条件的样品观察结果基本一致,其金属化层整体上致密均匀,在源极过孔台阶处均存在一定的不连续性,空洞率较高。因此,芯片场效应管源极过孔台阶处的金属化层的不连续性和空洞的形成与成品的试验过程无关,在设定的实验条件下,芯片是合格的。上述工作是紧密配合微波器件的研发和生产过程开展的,研究结果为工艺改进和失效预防提供了科学的依据,有效支撑了合作单位微波器件的质量控制和可靠性研究。
屈婧[9]（2010）在《COTS器件ADV212的宇航应用研究》文中研究说明COTS（commercial off-the-shelf）作为20世纪80年代欧美主要军事大国提出的称为"商用现成技术"这一概念,是相对于军用技术产品开发研制而言的。军用电子器件以专门的设计、结构加固,可以持久、高可靠的工作;而COTS器件通常工作温度范围很窄,大多是塑料封装（PEM）,对潮湿敏感,通常其设计、材料、芯片、生产过程控制的可追溯性很差,故COTS器件在苛刻的空间环境下可靠工作需要进一步论证。另一方面,随着航天技术高速发展,对采用高新技术的元器件的需求不断增加,而新研发的高新技术的元器件通常优先投放用于商业市场,甚至无军用或高可靠产品,加之部分国家的禁运限制,使得如何将COTS器件用于航天器并可靠工作成为航天元器件保障部门的一项长期而意义深远的课题。ADV212是一款AD公司出品的塑料封装、工业级视频处理芯片,可以提供完整的JPEG2000编码解码解决方案,有广阔的应用前景,是典型的COTS器件,本文将以ADV212为切入点,探讨COTS器件宇航应用的途径。通过研究相关标准中关于COTS器件的选择、筛选、鉴定要求,针对ADV212器件提出质量保证方案,评价ADV212固有可靠性能否满足要求;应一方面结合宇航应用的特殊要求和器件自身特点,对ADV212从抗辐照设计、热设计、降额、存储等方面提出应用建议,确保正确存放、使用,从而提高使用可靠性。通过本课题的研究,ADV212已成功用于我国某卫星,实现了低功耗低成本的基于小波的压缩,改善了图像压缩性能,简化实现方案,减少了研制成本,增强了产品的市场竞争力,在轨工作一年多性能表现良好,得到用户的高度评价;评价试验的结果和实际飞行验证,使ADV212在后续产品设计中得到广泛的推广应用。
洪明[10]（2008）在《MOS集成电路可靠性保障数据应用研究》文中研究表明本文从集成电路的寿命周期的浴盆曲线出发,以可靠性保障数据的获得、分析、评价为手段,以MOS集成电路TM的工程化可靠性保障为目的,以TM集成电路工程化可靠性保障中遇到的问题为牵引,研究提高和保证集成电路可靠性的方法以及在TM集成电路工程化中的具体的应用。我们对集成电路的要求是在产品出厂前尽可能地剔除早期失效,出厂后满足工作可靠性和寿命要求。要达到这样的要求,需要进行试验、测量、分析和改进、评价、表征。本文首先构建了可靠性保障数据技术的理论基础,主要包括:环境应力筛选,统计技术,测试技术、可靠性增长技术、失效分析和产品的寿命评估等;可靠性保障数据技术理论,为进行工程化可靠性保障打下了基础。在理论分析的基础上,结合MOS集成电路TM,开展了通过老化试验实时监控和分析确定老化应力的研究,进一步保证了筛选率的要求;采用ASL1000测试系统对TM电路进行测试的软件、硬件的设计,达到了自动测试的目的,为数据的采集和分析打下了基础;根据TM电路特点确定关键工序,采用统计分析法对工艺过程进行监控和评价,为保证工艺和可靠性水平打下了基础;对典型失效进行了具体的分析和改进;进行了可靠性增长试验,并在失效分析的基础上优化了工艺,使产品达到希望的可靠性指标的要求。
二、半导体器件DPA不合格的根源研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、半导体器件DPA不合格的根源研究（论文提纲范文）
（1）一种提升大容量反熔丝PROM成品率的置换修复技术（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 研究现状 |
| 1.1 反熔丝PROM成品率说明 |
| 1.2 反熔丝PROM存储器编程成品率低的分析 |
| 2 置换修复的实现 |
| 2.1 置换修复电路工作机理 |
| 2.2 置换修复电路实现 |
| 2.3 置换修复实现原理 |
| 3 总结 |
（3）深入推进宇航元器件过程控制体系的研究（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 宇航用元器件质量形势分析 |
| 2.1 质量问题概述 |
| 2.2 质量问题分析 |
| 3 PCS体系推出的过程 |
| 3.1 PCS体系的提出 |
| 3.2 PCS体系框架设计 |
| 3.2.1PCS体系的目的 |
| 3.2.2应用前的宇航元器件质量保证过程 |
| 3.2.3PCS体系架构 |
| 4 全面深入推进PCS体系的思考 |
| 4.1 宇航用元器件准入阶段 |
| 4.2 宇航用元器件批产制造阶段 |
| 4.3 宇航用元器件交付阶段 |
| 5 结束语 |
（4）电子元器件及封装质量控制中若干案例的分析研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 电子元器件的质量和可靠性 |
| 1.3 本文工作 |
| 第二章 电子元器件的显微分析 |
| 2.1 电子显微技术 |
| 2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜作用机理 |
| 2.2.2 显微技术常用的电子信号 |
| 2.2.3 能谱仪工作原理 |
| 2.3 SEM显微分析模式的应用 |
| 2.3.1 二次电子成像（SEI）和背散射电子成像（BEI）对比分析 |
| 2.3.2 对导电性差的样品的形貌观察 |
| 2.3.3 线扫描在陶瓷电容器三层端电极中的应用 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 多层陶瓷电容器可靠性分析 |
| 3.1 多层陶瓷电容器新镀液可靠性性鉴定试验 |
| 3.1.1 锡铅层SEM形貌对比 |
| 3.1.2 镀层厚度情况对比 |
| 3.1.3 DPA模块分析 |
| 3.1.4 电容器电性能检测 |
| 3.1.5 电容器可靠性试验 |
| 3.2 多层陶瓷电容器介质击穿短路分析 |
| 3.2.1 失效样品外观检查 |
| 3.2.2 电参数测试 |
| 3.2.3 DPA模块分析 |
| 3.2.4 失效原因分析 |
| 3.3 多层陶瓷电容器有机物污染失效分析 |
| 3.3.1 样品描述 |
| 3.3.2 内部结构分析 |
| 3.3.3 失效机理讨论 |
| 3.3.4 水滴实验 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 激光封焊工艺改进方面的显微研究 |
| 4.1 铝合金激光封焊原材料的质量控制 |
| 4.1.1 铝合金成分分析 |
| 4.1.2 铝合金激光封焊原材料的SEM评价 |
| 4.2 激光封焊对腔体内组件的影响 |
| 4.2.1 分析过程 |
| 4.2.2 结论 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 微波器件失效分析 |
| 5.1 限流稳压器输出失效分析 |
| 5.1.1 样品描述 |
| 5.1.2 分析过程 |
| 5.2 砷化镓功率放大器中导线熔断分析 |
| 5.3 芯片电容引线键合可靠性分析 |
| 5.4 移相器中PN结二极管表面异常分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（5）长期贮存对功率器件性能影响的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 1. 绪论 |
| 1.1 研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外长期贮存研究的现状 |
| 1.3 有效贮存期和超期复验要求简介 |
| 1.4 小结 |
| 2. 功率器件及其封装技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 常见功率器件及其原理 |
| 2.2.1 分立器件 |
| 2.2.2 功率模块及功率集成电路 |
| 2.3 封装的作用及流程 |
| 2.3.1 封装的作用及分类 |
| 2.3.2 金属封装的工艺流程 |
| 2.4 功率器件的封装特点 |
| 3. 贮存失效及其机理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 贮存失效与环境应力 |
| 3.2.1 温度因素对贮存可靠性的影响 |
| 3.2.2 湿度因素对贮存可靠性的影响 |
| 3.2.3 化学因素对贮存可靠性的影响 |
| 3.3 常见贮存失效模式及机理分析 |
| 3.3.1 腐蚀类失效及其机理 |
| 3.3.2 退化类失效及其机理 |
| 3.4 小结 |
| 4. 样品检测与分析 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电测试 |
| 4.2.1 功率晶体管电测试 |
| 4.2.2 三端稳压模块电测试 |
| 4.3 外观及密封性能测试 |
| 4.3.1 外部目检 |
| 4.3.2 检漏测试 |
| 4.4 X 光检测 |
| 4.5 内部目检 |
| 4.5.1 芯片总体形貌 |
| 4.5.2 金属化退化情况 |
| 4.5.3 键合点退化情况 |
| 4.6 键合拉力及剪切力测试 |
| 4.6.1 键合拉力测试 |
| 4.6.2 芯片剪切力测试 |
| 4.7 小结 |
| 5. 长期贮存对功率器件性能影响的分析 |
| 5.1 长期贮存对功率器件电性能影响的分析 |
| 5.2 长期贮存对功率器件封装性能的影响分析 |
| 5.3 对功率器件超期复用程序的建议 |
| 5.4 小结 |
| 6. 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 电性能测试数据 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）力神科技股份有限公司发展战略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 目录 |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景 |
| 1.2 研究的目的和意义 |
| 1.3 国内外研究现状分析 |
| 1.3.1 国外研究现状 |
| 1.3.2 国内研究现状 |
| 1.4 研究的主要方法和内容 |
| 2 相关理论综述 |
| 2.1 外部环境分析理论 |
| 2.1.1 宏观环境因素 |
| 2.1.2 竞争因素 |
| 2.1.3 产业分析模型的局限性 |
| 2.2 内部环境分析理论 |
| 2.3 SWOT分析理论 |
| 2.4 公司层战略理论 |
| 2.5 业务层战略理论 |
| 2.6 小结 |
| 3 力神公司概况及行业背景介绍 |
| 3.1 全球半导体行业发展状况分析 |
| 3.2 力神公司概况及经营发展 |
| 3.2.1 力神公司简介 |
| 3.2.2 力神公司主要发展历程 |
| 3.2.3 力神公司销售状况 |
| 4 力神公司内、外部环境分析 |
| 4.1 力神公司外部环境分析 |
| 4.1.1 宏观坏境分析 |
| 4.1.2 经济环境 |
| 4.1.3 技术环境 |
| 4.1.4 社会文化环境 |
| 4.1.5 行业竞争环境分析 |
| 4.1.6 外部环境带来的机会与威胁 |
| 4.2 力神公司内部环境分析 |
| 4.2.1 技术资源 |
| 4.2.2 人力资源 |
| 4.2.3 产品结构 |
| 4.2.4 财务资源 |
| 4.2.5 组织结构 |
| 4.2.6 品牌资源 |
| 4.2.7 企业文化 |
| 4.3 力神公司的企业价值链分析 |
| 4.4 小结 |
| 5 力神公司发展战略设计 |
| 5.1 力神公司SWOT分析 |
| 5.2 力神公司战略目标设计 |
| 5.2.1 力神公司的发展总目标设计 |
| 5.2.2 力神公司的具体目标设计 |
| 5.2.3 力神公司发展战略选择 |
| 5.3 力神公司战略设计 |
| 5.3.1 人力资源战略方面 |
| 5.3.2 营销战略方面 |
| 5.3.3 技术研发占戈略方面 |
| 5.3.4 成本控制战略方面 |
| 5.4 小结 |
| 6 力神公司战略实施保障与控制 |
| 6.1 力神公司战略实施保障 |
| 6.1.1 提闻技术研发和新产品创新能力 |
| 6.1.2 加强外包厂的品质管控 |
| 6.1.3 提升市场销售能力 |
| 6.1.4 改善采购、库存的管理 |
| 6.1.5 优化财务管理 |
| 6.2 力神公司战略控制 |
| 6.2.1 信息控制 |
| 6.2.2 行为控制 |
| 6.3 小结 |
| 7 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（7）南车时代半导体事业部欧洲区营销渠道策略改进研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 插图索引 |
| 附表索引 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 营销渠道概念 |
| 1.2.2 营销渠道功能 |
| 1.2.3 营销渠道结构 |
| 1.2.4 营销渠道研究动态 |
| 1.3 研究内容和研究框架 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 研究框架 |
| 第2章 南车时代半导体欧洲区营销渠道环境分析 |
| 2.1 公司简介 |
| 2.2 欧洲区营销渠道宏观环境分析 |
| 2.2.1 政治与经济环境分析 |
| 2.2.2 社会环境分析 |
| 2.2.3 技术环境分析 |
| 2.3 欧洲区营销渠道行业环境分析 |
| 2.3.1 半导体行业发展现状与需求分析 |
| 2.3.2 半导体行业竞争情况分析 |
| 2.4 欧洲区营销渠道微观环境分析 |
| 2.4.1 欧洲区内部情况分析 |
| 2.4.2 欧洲区营销渠道现状与问题分析 |
| 2.5 SWOT 分析 |
| 第3章 南车时代半导体欧洲区营销渠道结构改进方案 |
| 3.1 渠道结构设计的目标与原则 |
| 3.1.1 渠道结构设计的目标 |
| 3.1.2 渠道结构设计的原则 |
| 3.2 渠道结构设计主要影响因素 |
| 3.2.1 企业与产品因素 |
| 3.2.2 中间商与行为因素 |
| 3.2.3 市场与最终用户因素 |
| 3.3 渠道结构改进方案 |
| 3.3.1 渠道结构改进设计 |
| 3.3.2 渠道结构评价与选择 |
| 第4章 南车时代半导体欧洲区营销渠道管理策略改进 |
| 4.1 完善渠道流程与政策管理 |
| 4.1.1 完善渠道流程管理 |
| 4.1.2 完善渠道政策管理 |
| 4.2 优化分销商区域规划与改进新分销商开发体系 |
| 4.2.1 优化分销商区域规划 |
| 4.2.2 改进新分销商开发体系 |
| 4.3 发展基于战略伙伴关系的渠道成员绩效管理 |
| 4.3.1 建立与渠道成员的战略合作伙伴关系 |
| 4.3.2 制定处理和预防渠道成员冲突的措施 |
| 4.3.3 制定基于平衡计分卡的渠道成员绩效管理 |
| 第5章 南车时代半导体欧洲区渠道策略实施保障 |
| 5.1 优化团队建设和培养职业胜任能力 |
| 5.1.1 团队建设 |
| 5.1.2 职能培训 |
| 5.2 确保渠道建设与管理的资金投入 |
| 5.2.1 加大对渠道建设的资金投入 |
| 5.2.2 科学设计对渠道成员的物质与非物质激励 |
| 5.2.3 加大对渠道成员能力提升的资金投入 |
| 5.3 打造覆盖渠道成员的客户关系管理系统 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（8）微波器件质量相关的电子显微研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 研究背景和意义 |
| 1.2 电子元器件的失效分析 |
| 1.3 失效分析中的微观分析技术简介 |
| 1.4 本论文主要工作 |
| 第二章 样品导电性对扫描电镜分析的影响 |
| 2.1 扫描电子显微镜 |
| 2.1.1 仪器结构和工作原理 |
| 2.1.2 二次电子和背散射电子信号 |
| 2.2 弱导电性材料扫描镜分析图像失真现象研究 |
| 2.2.1 实验过程 |
| 2.2.2 机理研究 |
| 2.2.3 结论 |
| 2.3 背散射电子信号在弱导电性样品方面的应用 |
| 2.3.1 荷电效应对扫描电镜成像的影响 |
| 2.3.2 背散射电子成像应用 |
| 2.3.3 结论 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 微波器件焊接失效研究 |
| 3.1 微波电路用钨铜复合材料焊接失效分析 |
| 3.1.1 样品描述 |
| 3.1.2 分析过程 |
| 3.1.3 样品焊接失效原因分析 |
| 3.1.4 结论 |
| 3.2 微波器件热失效分析 |
| 3.2.1 分析过程 |
| 3.2.2 失效机理讨论 |
| 3.2.3 结论 |
| 3.3 微波电路元件焊点脱落分析 |
| 3.3.1 失效现象 |
| 3.3.2 分析结果与讨论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 微波器件和芯片的污染分析 |
| 4.1 移相器芯片表面污染分析 |
| 4.1.1 污染情况描述 |
| 4.1.2 电子显微分析 |
| 4.1.3 模拟污染复现实验 |
| 4.1.4 分析结论 |
| 4.2 芯片表面微粒污染分析 |
| 4.2.1 芯片脏污定位 |
| 4.2.2 结论 |
| 4.3 场效应管管芯多余物分析 |
| 4.3.1 分析过程 |
| 4.3.2 结论 |
| 4.4 低噪声放大器内多余物分析 |
| 4.4.1 样品和分析要求 |
| 4.4.2 分析过程及结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 与微波器件质量相关的其他分析研究 |
| 5.1 滤波器封装盒体气体泄漏失效分析 |
| 5.1.1 样品及实验方法 |
| 5.1.2 微观分析 |
| 5.1.3 气密性差原因讨论 |
| 5.1.4 结论及建议 |
| 5.2 场效应管金属化层质量可靠性评价 |
| 5.2.1 实验目的 |
| 5.2.2 实验条件及仪器 |
| 5.2.3 实验过程 |
| 5.2.4 结论 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（9）COTS器件ADV212的宇航应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 第二章 COTS 技术的研究现状 |
| 2.1 国外关于COTS 应用经验 |
| 2.2 COTS 技术应用现状 |
| 2.3 制造厂商关于COTS 研发应用 |
| 2.3.1 MAXIM 推出加固塑封器件 |
| 2.3.2 TI 公司 PEM 被列入 QML |
| 2.3.3 3D-PLUS 公司生产的宇航用塑封器件 |
| 2.3.4 小结 |
| 2.4 PEM 常见失效 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 ADV212 器件简介 |
| 3.1 ADV212 特性介绍 |
| 3.2 ADV212 原理框图 |
| 3.3 ADV212 压缩编码原理 |
| 3.4 ADV212 应用领域 |
| 3.5 ADV212 选用必要性分析 |
| 3.6 ADV212 器件选用风险分析 |
| 第四章 ADV212 质量保证 |
| 4.1 ADV212 质量保证方案综述 |
| 4.2 关键试验项目介绍及可行性论证 |
| 4.2.1 超声波扫描显微镜 |
| 4.2.2 高加速应力试验 |
| 4.2.3 挥发 |
| 4.2.4 抗辐照 |
| 4.2.5 可行性论证 |
| 4.3 ADV212 质量保证方案 |
| 4.3.1 总体方案 |
| 4.3.2 环境试验及要求 |
| 4.3.3 板级试验要求 |
| 4.3.4 质量保证程序 |
| 4.3.5 板级系统设计 |
| 4.4 ADV212 质量保证结论 |
| 4.4.1 筛选试验 |
| 4.4.2 鉴定试验 |
| 4.4.3 评价试验 |
| 4.4.4 结论 |
| 第五章 ADV212 宇航应用建议 |
| 5.1 抗辐照评估 |
| 5.1.1 电离辐射效应 |
| 5.1.2 单粒子效应 |
| 5.2 FMEA 分析 |
| 5.3 降额设计 |
| 5.4 热设计 |
| 5.5 存储及安装要求 |
| 第六章 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（10）MOS集成电路可靠性保障数据应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景与研究目的 |
| 1.2 基本理论 |
| 1.2.1 集成电路的寿命周期特征 |
| 1.2.2 集成电路可靠性保障数据技术 |
| 1.3 本论文要研究和解决的问题 |
| 2 集成电路可靠性保障数据技术的基本理论 |
| 2.1 环境应力筛选 |
| 2.1.1 环境应力筛选的原理和作用 |
| 2.1.2 集成电路筛选的一般方法 |
| 2.1.3 集成电路筛选方法的调整 |
| 2.1.4 老化技术 |
| 2.2 测试技术 |
| 2.2.1 工艺参数的测试技术 |
| 2.2.2 电路的测试技术 |
| 2.2.3 测试的可靠性 |
| 2.3 数据分析评价技术 |
| 2.3.1 元器件的质量和成品率的关系 |
| 2.3.2 元器件的质量保证和评价技术 |
| 2.4 半导体器件的失效分析 |
| 2.4.1 半导体器件失效分析的一般程序 |
| 2.4.2 半导体器件的失效模式 |
| 2.4.3 半导体器件的失效机理 |
| 2.5 可靠性增长数据技术 |
| 2.5.1 可靠性增长 |
| 2.5.2 可靠性增长试验技术 |
| 2.5.3 可靠性增长模型 |
| 3. 老化和测试技术的结合 |
| 3.1 系统原理框图 |
| 3.2 TM老化监测系统的设计 |
| 3.3 对TM集成电路的老化监测 |
| 3.4 老化过程中动态监测的优点 |
| 3.5 小结 |
| 4. TM集成电路测试系统的设计 |
| 4.1 TM电路的测试原理框图 |
| 4.2 电路的参数测试 |
| 4.2.1 静态电流的测试 |
| 4.2.2 输入端DT，CP，FS，FP，INH，IN的漏电流的测试 |
| 4.2.3 输出端电流及长短复位信号LP，SP的时序测量 |
| 4.2.4 分频输出端G27的测试 |
| 4.2.5 电路擦写功能及擦写脉冲的测试 |
| 4.3 小结 |
| 5. 数据技术在MOS集成电路工艺控制中的应用 |
| 5.1 器件的原理 |
| 5.2 TM的工艺过程 |
| 5.3 工艺参数测试 |
| 5.4 工序能力的评价 |
| 5.4.1 薄栅工序能力评价 |
| 5.4.2 MNOS管关键参数评价 |
| 5.5 进行PDA控制 |
| 5.6 根据电路原理建立故障树 |
| 5.7 典型失效分析 |
| 5.7.1 典型失效现象 |
| 5.7.2 原因分析 |
| 5.7.3 失效验证 |
| 5.8 TM集成电路的抗静电保护设计和控制 |
| 5.8.1 抗静电保护设计 |
| 5.8.2 工艺控制采取的措施 |
| 5.8.3 工艺可靠性设计 |
| 5.8.4 电路转运和试验过程中的静电防护 |
| 5.8.5 结果 |
| 6. TM集成电路可靠性增长试验与评估 |
| 6.1 试验的目的 |
| 6.2 模型选取 |
| 6.3 试验的方法 |
| 6.4 试验与评估 |
| 6.4.1 分析改进 |
| 6.4.2 纠正措施 |
| 6.4.3 试验与评估 |
| 6.5 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
四、半导体器件DPA不合格的根源研究（论文参考文献）
- [1]一种提升大容量反熔丝PROM成品率的置换修复技术[J]. 李孝远,李达,孙博文,王艳东,罗春华. 信息技术与信息化, 2021(07)
- [2]山东小三线建设研究[D]. 刘世彬. 山东师范大学, 2021
- [3]深入推进宇航元器件过程控制体系的研究[J]. 张红旗,张延伟,毛喜平,汪悦. 中国航天, 2020(S1)
- [4]电子元器件及封装质量控制中若干案例的分析研究[D]. 宋利杰. 电子科技大学, 2016(02)
- [5]长期贮存对功率器件性能影响的研究[D]. 翁正. 辽宁科技大学, 2014(02)
- [6]力神科技股份有限公司发展战略研究[D]. 徐七京. 西安科技大学, 2013(04)
- [7]南车时代半导体事业部欧洲区营销渠道策略改进研究[D]. 谭兴进. 湖南大学, 2012(03)
- [8]微波器件质量相关的电子显微研究[D]. 叶建海. 电子科技大学, 2011(12)
- [9]COTS器件ADV212的宇航应用研究[D]. 屈婧. 西安电子科技大学, 2010(03)
- [10]MOS集成电路可靠性保障数据应用研究[D]. 洪明. 南京理工大学, 2008(11)